シリコンに導入されたドーパントの物理

本書は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つである不純物ドーピングにおける基本的な課題や学術的疑問点を取り上げ、それらを物理的な観点から理解を深めることを目的としています。シリコンナノエレクトロニクスおよびシリコンパワー半導体技術の両方に対して、ドーピングに伴って起こるさまざまな現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服するかという技術展開を詳述しています。

目次

第1部 ドーピングの基礎
第1章 シリコン中の1×10^10から1×10^20cm^?3にわたる濃度範囲のドーパント不純物のフォトルミネッセンス評価
第2章 シリコン基板中のドーパントとその制御
第3章 シリコン中の不純物原子の活性化とそのからくり
第4章 ドーパントによる電子準位とドーパント拡散のミクロな機構：計算科学によるアプローチ
第5章 放射光を用いた光電子ホログラフィーによるシリコン中の高濃度ドーパントクラスターの3次元原子配列構造解析

第2部 ナノシリコンデバイス
第6章 シリコンデバイスへのドーピング技術の事共
第7章 シリコンナノ結晶への不純物ドーピング
第8章 IV族半導体ナノワイヤへの不純物ドーピングと評価
第9章 シリコンへの高濃度ドーピングにおける活性化と不活性化

第3部 パワー半導体
第10章 パワー半導体とドーピング技術
第11章 パワー半導体用シリコンウェーハにむけた中性子核変換ドーピングの現状と今後の展開
第12章 パワー半導体における宇宙線照射による故障のTCADを用いた解析
第13章 300mmSi-IGBT時代へ向けた不純物ドーピング制御の物理的課題と技術的挑戦

本の帯に関して

帯つきでの出荷はお約束しておりません。
商品ページに、帯のみに付与される特典物等の表記がある場合でも、確実に帯つきでの出荷はお約束しておりません。
また、帯は商品の一部ではなく「広告扱い」のため、帯の有無・破損による交換や返品は承っておりません。

版・表紙について

版・表紙（カバー）のご指定は承っておりません。ご注文いただくタイミングによっては、お届けする商品の版や表紙が商品ページ上のものとは異なる場合がございます。
また、初版にのみにお付けしている特典（初回特典、初回仕様特典）がある商品は、商品ページに特典の表記がされている場合でも、無くなり次第終了となります。