ＥＵＶ時代の半導体リソグラフィ技術

限界といわれながら半導体集積回路の高集積化の勢いが止まらない。この高集積化を牽引するリソグラフィ技術に関し、その基本から応用まで詳述する。光リソグラフィ技術の解像限界を突破するマルチパターニング技術から、最先端微細加工を実現するEUVリソグラフィ技術の最新状況を紹介する。さらにマスク作製を一変させたマルチビーム型電子線描画装置の最新状況や、超微細な構造を実現するナノインプリント技術の最新状況まで述べている。

目次

1章　半導体集積回路の発展とリソグラフィ技術の役割
1.1　半導体産業の位置づけとリソグラフィ技術
1.2　リソグラフィ技術とは
1.3　リソグラフィシステムの発展
1.4　まとめ

2章光リソグラフィ技術
2.1　はじめに
2.2　露光装置の構成
2.3　光露光装置の解像性能
2.4　露光光学系の諸要素
2.5　露光装置の全体性能
2.6　光リソグラフィの今後

3章　EUVリソグラフィ
3.1　はじめに
3.2　露光装置の構成
3.3　露光光学系
3.4　EUV露光を形成する諸要素
3.5　EUV露光系の結像性能
3.6　高NA EUV露光装置のシステム
3.7　EUVリソグラフィの将来

4章　電子線リソグラフィ技術
4.1　はじめに
4.2　レジスト中での電子の散乱とエネルギーの堆積
4.3　近接効果とその補正技術
4.4　電子線描画方式

5章　ナノインプリントリソグラフィ技術
5.1　はじめに
5.2　NIL技術
5.3　NIL技術の技術と性能

6章　レジスト
6.1　リソグラフィの動向とレジスト
6.2　レジストに要求される性質
6.3　リソグラフィ技術で用いる露光波長と光化学
6.4　光化学
6.5　EUV（X線）と分子との相互作用
6.6　電子線と分子との相互作用
6.7　現像　有機溶媒現像とアルカリ現像
6.8　ｇ線、i線用ジアゾナフトキノン（DNQ）－ノボラック樹脂系ポジ型フォトレジス
6.9　KrFエキシマレーザ（248nm）用化学増幅系レジスト
6.10　ArFエキシマレーザ（1９３nm）リソグラフィ用化学増幅レジスト
6.11　ArF液浸用レジスト
6.12　EUV（Extreme UV）用レジスト

ほか

本の帯に関して

帯つきでの出荷はお約束しておりません。
商品ページに、帯のみに付与される特典物等の表記がある場合でも、確実に帯つきでの出荷はお約束しておりません。
また、帯は商品の一部ではなく「広告扱い」のため、帯の有無・破損による交換や返品は承っておりません。

版・表紙について

版・表紙（カバー）のご指定は承っておりません。ご注文いただくタイミングによっては、お届けする商品の版や表紙が商品ページ上のものとは異なる場合がございます。
また、初版にのみにお付けしている特典（初回特典、初回仕様特典）がある商品は、商品ページに特典の表記がされている場合でも、無くなり次第終了となります。