超ＬＳＩ共同研究所とその波及　日本半導体製造装置・材料を世界一にしたプロジェクト

超ＬＳＩ共同研究所は１９７５年からの４年間、将来の超ＬＳＩを作る基礎的共通的な製造装置の開発を行い、１９８０年３月に任務を終えて解散した。開発された製造装置は、研究組合の構成会社である、富士通、日立、三菱、日電、東芝の各社に納入された。その後５社が競ってこれらを使用し、半導体素子の生産を行い、その結果、半導体デバイスの日本のシェアが急増して５０％を超える事になる。その間、対米対策の不備から、米国の安全保障という壁によって反発され、「日本で使うＩＣの２０％を輸入品（当時米国製）とする」、「日本の輸出価額は米国が決める」という日米半導体協定を結ばされ、日本のシェアは下がって行くのである。しかし、半導体製造装置は健在で、世界市場シェアの多くを占めている。

目次

序論―日本の半導体は世界シェア５０％を得た後、なぜ下降を辿ったのか
１章　超ＬＳＩ共同研究所の設立前夜とその成果
２章　電子線源と電子光学系
３章　微細電子線描画・検査技術とその変遷
４章　可変成形ビームベクタースキャン型電子ビーム描画装置
５章　汎用型電子線描画技術とその周辺技術の開発
６章　結晶技術
７章　クリーン技術と露光技術
８章　デバイス基礎技術および試験評価基礎技術

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