基礎から学ぶスイッチング電源の要素デバイス　パワー半導体デバイス，コンデンサ，インダクタ

電力変換回路（パワー段）で使用する電子部品（コンデンサ，コイル，半導体デバイス）の機能・性能・信頼性を扱い，パワー段においてスイッチ機能を果たす半導体デバイス，受動素子のコンデンサとコイル（トランス）を取り上げる。

目次

1.　半導体物性
1.1　シリコン結晶中の電子および正孔濃度
1.2　半導体の電気伝導
1.3　衝突電離（インパクトイオン化）現象
1.4　電子と正孔の再結合
2.　パワー半導体素子の基本デバイス構造
2.1　ダイオード
　2.1.1　pn接合の空乏層幅と静電容量
　2.1.2　pn接合ダイオードの耐圧
　2.1.3　ダイオードの電圧・電流特性
　2.1.4　現実のpn接合ダイオード特性
　2.1.5　ダイオードの種類
2.2　ダイオードの用途
　2.2.1　整流回路
　2.2.2　pn接合ダイオードの逆方向回復特性
　2.2.3　PiNダイオード
2.3　電流を制御する基本素子構造
　2.3.1　バイポーラ素子
　2.3.2　MOS型デバイス
3.　パワー半導体デバイス
3.1　縦型パワーMOS素子
　3.1.1　縦型パワーMOS素子
　3.1.2　スーパージャンクション縦型パワーMOS素子
　3.1.3　トレンチ構造縦型パワーMOS素子
　3.1.4　アバランシェ降伏
3.2　IGBT
　3.2.1　IGBTのラッチアップ
　3.2.2　IGBTと縦型パワーMOS素子の使い分け
4.　化合物パワー半導体デバイス
4.1　SiCデバイス
　4.1.1　SiCショットキー障壁ダイオードの用途
　4.1.2　SiCショットキー障壁ダイオードの構造
　4.1.3　SiC縦型パワーMOS素子
4.2　GaNデバイス
　4.2.1　GaNデバイス
　4.2.2　GaNデバイスの特性劣化
　4.2.3　GaNデバイスの逆方向電流特性
5.　回路中のパワーデバイスの過渡応答
5.1　縦型パワーMOS素子の端子間容量
5.2　ゲート容量の回路特性への影響
5.3　縦型パワーMOS素子のターンオン・ターンオフ過程
　5.3.1　ゲート容量と配線インダクタンスの共振（リンギング）
　5.3.2　ゲート駆動法の工夫
5.4　GaNデバイスの課題
5.5　ダブルパルス試験
　5.5.1　ターンオフ過程
　5.5　ほか

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