化合物半導体のエピタキシャル成長　多様な成長技術とその応用

化合物半導体のエピタキシャル成長技術に要求される性能は時代にかかわらず高い結晶品質，高い膜厚制御性，低い製造コスト，そして量産性である．本書は様々なエピタキシャル成長技術に直接触れ，長年研究してきた著者がその知見をまとめたものである．

【目次】
第1章　半導体の種類と特徴
1.1　はじめに
1.2　ＩＶ族半導体
1.3　ＩＩＩ-Ｖ族化合物半導体
1.4　その他の化合物半導体

第2章　化合物半導体エピタキシャル成長の概要
2.1　はじめに
2.2　液相エピタキシャル成長法(LPE)
2.3　気相エピタキシャル成長法(Cl-VPE，H-VPE)
2.4　有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)
2.5　分子線エピタキシャル成長法(MBE)

第3章　液相エピタキシャル成長法(LPE)とその応用
3.1　はじめに
3.2　AlGaAs/GaAsのLPE成長
3.3　InGaAsP/InPのLPE成長
3.4　InGaAsSb/AlGaAsSbのLPE成長
3.5　InAsPSb/InAsのLPE成長
3.6　ＩＶ-ＶＩ族化合物半導体のLPE成長

第4章　有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)とその応用
4.1　はじめに
4.2　MOVPEにおける有機金属材料
4.3　三元混晶InAsSbおよびInPSbのMOVPE成長
4.4　InAs1-x-yPxSbyのMOVPE成長

第5章　分子線エピタキシャル成長法(MBE)とその応用
5.1　はじめに
5.2　MBE成長に用いられる装置
5.3　MBE成長における成長プロセス評価技術
5.4　MBE成長結晶の高電子移動度材料への応用

第6章　MOVPEにおける流量変調エピタキシー(FME)
6.1　はじめに
6.2　流量変調エピタキシー(FME)
6.3　流量変調エピタキシー(FME)と原子層エピタキシー(ALE)

第7章　MBEにおけるマイグレーション・エンハンスト・エピタキシー(MEE)
7.1　はじめに
7.2　MEE成長の原理
7.3　MEEによるGaAs の成長
7.4　MEEの異なる原子価材料間のヘテロ接合，超格子成長への応用

第8章　選択エピタキシャル成長法(SAE)
8.1　はじめに
8.2　FMEを用いたSAE
8.3　MEEを用いたSAE

第9章　エピタキシャル成長結晶の半導体レーザ(LD)への応用
9.1　はじめに
9.2　化合物半導体におけるレーザ発振の波長範囲
9.3　いろいろな波長のLDの発振特性
9.4　AlGaAs/GaAs LDの加速寿命試験
9.5　AlGaAs/GaAs LDとInP/InGaAsP LDの加速寿命試験の比較

目次

第１章　半導体の種類と特徴
第２章　化合物半導体エピタキシャル成長の概要
第３章　液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）とその応用
第４章　有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）とその応用
第５章　分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）とその応用
第６章　ＭＯＶＰＥにおける流量変調エピタキシー（ＦＭＥ）
第７章　ＭＢＥにおけるマイグレーション・エンハンスト・エピタキシー（ＭＥＥ）
第８章　選択エピタキシャル成長法（ＳＡＥ）
第９章　エピタキシャル成長結晶の半導体レーザ（ＬＤ）への応用

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