はじめての半導体デバイス「増補版」
発売日：2022年4月
- 版数
- 増補版
- ページ数
- １４９ｐ
- ISBN
- 978-4-7649-0644-0
- 著者情報
- 執行 直之（シギョウ ナオユキ）
東北大学工学研究科情報工学専攻修了。博士（工学）。ＩＥＥＥ Ｆｅｌｌｏｗ。１９８０年（株）東芝入社。２０１９年キオクシア株式会社。専門は、半導体デバイス・シミュレーションとデバイス設計。１９８２年に３次元デバイス・シミュレータを開発し、デバイスの微細化での問題を解明した。さらに、少数キャリア移動度などの物理モデルを構築して、デバイス・シミュレータを実用化し、超ＬＳＩの実現に貢献した。また、静電破壊（ＥＳＤ）やソフトエラーなどの問題も解決した
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商品説明
本書は「はじめての半導体デバイス」の増補版。
電気・電子系学科では必須授業である半導体デバイスだが、量子力学から解き明かすと大変ハードルが高くなる。
本書ではあえてそこには触れず、半導体デバイスの基礎を直観的かつ本質的に理解することを目指し、式よりも図を多く用いて理解出来るように工夫している。また、半導体デバイスを理解する上で最も有効なエネルギーバンド図を使って説明している。
増補版ではMOSトランジスタについて加筆し、電流電圧特性について本質的に解説。付録でもMOSトランジスタの背景を解説するなど、より充実した内容となっている。
目次
1章 半導体とMOSトランジスタの簡単な説明
2章 半導体の基礎物理
3章 pn 接合ダイオード
4章 バイポーラトランジスタ
5章 MOS キャパシタ
6章 MOSトランジスタ
7章 超LSIデバイス
付録
商品詳細
- 出版社名
- 近代科学社
- サイズ
- ２６ｃｍ
- フォーマット
- 単行本
注意事項
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