電子デバイス工学 新装版「第２版」
発売日：2020年6月
- 版数
- 第２版
- ページ数
- １４９ｐ
- ISBN
- 978-4-627-70563-0
- 著者情報
- 古川 静二郎（フルカワ セイジロウ）
１９３４年北海道に生まれる。１９６１年東京工業大学理工学部博士課程修了。工学博士。１９６１年東京工業大学精密工学研究所助手。１９６３年東京工業大学精密工学研究所助教授。１９７３年東京工業大学精密工学研究所教授。１９７５年東京工業大学大学院総合理工学研究科教授。１９９３年東京工業大学名誉教授
荻田 陽一郎（オギタ ヨウイチロウ）
１９４３年神奈川県に生まれる。１９６９年神奈川大学大学院工学研究科修士課程修了。１９７０年東京工業大学工学部助手。１９７７年工学博士（東京工業大学）。１９８０年神奈川工科大学電気電子工学科教授。１９８６年神奈川工科大学電気電子工学科（後に電気電子情報工学科）教授。２０１４年神奈川工科大学名誉教授
浅野 種正（アサノ タネマサ）
１９５３年茨城県に生まれる。１９７９年東京工業大学大学院総合理工学研究科修士課程修了。１９７９年東京工業大学大学院総合理工学研究科助手。１９８５年工学博士（東京工業大学）。１９８９年九州工業大学情報工学部助教授。１９９４年九州工業大学マイクロ化総合技術センター教授。２００６年九州大学大学院システム情報科学研究院教授。２０１９年九州大学名誉教授
セブン-イレブン受取り(送料無料)
発送目安
発売日（発売日以降は当日）～2日で発送
宅配（送料¥550税込）
発送目安
発売日（発売日以降は当日）～2日で発送
交通状況・天候の影響や注文が集中した場合等、お届けにお時間をいただく場合がございます。
商品説明
目次
電子と結晶
エネルギー帯と自由電子
半導体のキャリヤ
キャリヤ密度とフェルミ準位
半導体の電気伝導
ｐｎ接合とダイオード
ダイオードの接合容量
バイポーラトランジスタ
金属‐半導体接触
ＭＥＳＦＥＴ
ＭＩＳＦＥＴ
集積回路
半伝導体デバイス
パワーデバイス
商品詳細
- 出版社名
- 森北出版
- サイズ
- ２２ｃｍ
- フォーマット
- 単行本
注意事項
- 本の帯に関して
- 帯つきでの出荷はお約束しておりません。
商品ページに、帯のみに付与される特典物等の表記がある場合でも、確実に帯つきでの出荷はお約束しておりません。
また、帯は商品の一部ではなく「広告扱い」のため、帯の有無・破損による交換や返品は承っておりません。 - 版・表紙について
- 版・表紙（カバー）のご指定は承っておりません。ご注文いただくタイミングによっては、お届けする商品の版や表紙が商品ページ上のものとは異なる場合がございます。
また、初版にのみにお付けしている特典（初回特典、初回仕様特典）がある商品は、商品ページに特典の表記がされている場合でも、無くなり次第終了となります。
