基礎から学ぶ半導体電子デバイス
発売日：2019年10月
- ページ数
- １７７ｐ
- ISBN
- 978-4-627-77621-0
- 著者情報
- 大谷 直毅（オオタニ ナオキ）
１９９４年北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）。株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所客員研究員。２００１年総務省通信総合研究所（現独立行政法人情報通信研究機構）光エレクトロニクスグループリーダー。２００５年同志社大学工学部助教授。２０１１年同志社大学理工学部教授。専門：半導体光デバイス、光電子物性、ナノ構造の物理とその応用
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商品説明
「半導体の概念」から「デバイスの基本動作」まで、ミクロな現象の本質がわかる。
目次
半導体の基礎
半導体中のキャリア密度
半導体中のキャリア輸送現象
ｐｎ接合ダイオード
金属と半導体の接合による整流特性
バイポーラトランジスタ
接合型電界効果トランジスタ
ＭＯＳダイオード
ＭＯＳＦＥＴ
ＭＯＳ集積回路
ＭＥＳＦＥＴ
付録Ａ エネルギーバンド構造について
付録Ｂ 状態密度の計算方法
付録Ｃ 有効質量の概念、直接遷移型と間接遷移型半導体
付録Ｄ 価電子帯のエネルギーと正孔の概念
付録Ｅ ヘテロ接合、トンネル効果、半導体超格子
付録Ｆ ショットキー接合の電流‐電圧特性
付録Ｇ バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足
商品詳細
- 出版社名
- 森北出版
- サイズ
- ２２ｃｍ
- フォーマット
- 単行本
注意事項
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