ナノスケール・トランジスタの物理
発売日：2018年3月
- ISBN
- 978-4-254-22644-7
- 著者情報
- 名取 研二（ナトリ ケンジ）
１９４５年山梨県に生まれる。１９７４年東京大学大学院物理学研究科博士課程修了。１９９０年（株）東芝ＵＬＳＩ研究所研究部長。１９９４年筑波大学物理工学系教授。２００９年東京工業大学特任教授を経て、筑波大学名誉教授。応用物理学会フェロー。理学博士
セブン-イレブン受取り(送料無料)
発送目安
発売日（発売日以降は当日）～2日で発送
宅配（送料¥550税込）
発送目安
発売日（発売日以降は当日）～2日で発送
交通状況・天候の影響や注文が集中した場合等、お届けにお時間をいただく場合がございます。
商品説明
黎明期以降の素子の微細化期に焦点を当て、極微スケールでのトランジスタの機構・物理を解説。
目次
１ はじめに
２ 半導体のキャリヤ輸送
３ フラックスを用いたキャリヤ輸送の解析
４ 古典的なＭＯＳＦＥＴの理論
５ バリスティックなＭＯＳＦＥＴの理論
６ 準バリスティックなＭＯＳＦＥＴへの拡張
７ 微細系のＭＯＳキャパシタンス
８ ＭＯＳトランジスタの微細化限界
商品詳細
- シリーズ名
- 朝倉電気電子工学大系 ４
- 出版社名
- 朝倉書店
- フォーマット
- 単行本
注意事項
- 本の帯に関して
- 帯つきでの出荷はお約束しておりません。
商品ページに、帯のみに付与される特典物等の表記がある場合でも、確実に帯つきでの出荷はお約束しておりません。
また、帯は商品の一部ではなく「広告扱い」のため、帯の有無・破損による交換や返品は承っておりません。 - 版・表紙について
- 版・表紙（カバー）のご指定は承っておりません。ご注文いただくタイミングによっては、お届けする商品の版や表紙が商品ページ上のものとは異なる場合がございます。
また、初版にのみにお付けしている特典（初回特典、初回仕様特典）がある商品は、商品ページに特典の表記がされている場合でも、無くなり次第終了となります。