はじめての半導体デバイス
発売日：2017年3月
- ページ数
- １４３ｐ
- ISBN
- 978-4-7649-0523-8
- 著者情報
- 執行 直之（シギョウ ナオユキ）
千葉大学工学部電子工学科卒、１９８０年東北大学工学研究科情報工学専攻修了。博士（工学）。ＩＥＥＥ Ｆｅｌｌｏｗ。１９８０年（株）東芝に入社。総合研究所、システムＬＳＩ事業部などを経て、現在はメモリ事業部担当部長。専門は、半導体デバイス・シミュレーションとデバイス設計。１９８２年に３次元デバイス・シミュレータを開発し、デバイスの微細化での問題を解明した。さらに、少数キャリア移動度などの物理モデルを構築して、デバイス・シミュレータを実用化し、超ＬＳＩの実現に貢献した
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商品説明
目次
１章 半導体とＭＯＳトランジスタの簡単な説明
２章 半導体の基礎物理
３章 ｐｎ接合ダイオード
４章 バイポーラトランジスタ
５章 ＭＯＳキャパシタ
６章 ＭＯＳトランジスタ
７章 超ＬＳＩデバイス
付録
商品詳細
- 出版社名
- 近代科学社
- サイズ
- ２６ｃｍ
- フォーマット
- 単行本
注意事項
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