ＳＯＩ Ｌｕｂｉｓｔｏｒの物理学と応用
発売日：2017年2月
- ISBN
- 978-4-87354-645-2
- 著者情報
- 大村 泰久（オオムラ ヤスヒサ）
１９４９年岡山県生まれ。１９７５年九州大学大学院工学研究科修士課程応用物理学専攻修了。１９７５年日本電信電話公社入社、武蔵野電気通信研究所配属。１９９７年関西大学工学部電子工学科教授。２００１年‐２００４年関西大学ハイテクリサーチセンター長。２００７年関西大学システム理工学部電気電子情報工学科教授。２００８年‐２０１２年関西大学評議員。２０１０年ＩＥＥＥ Ｆｅｌｌｏｗ。現在、関西大学システム理工学部教授
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商品説明
目次
第１部 ｐｎ接合デバイスの歴史の概要と近年のデバイス応用例
第２部 ＳＯＩ Ｌｕｂｉｓｔｏｒの物理学とモデルの検討―厚い半導体層のデバイス
第３部 ＳＯＩ Ｌｕｂｉｓｔｏｒの物理学とモデルの検討―薄い半導体層のデバイス
第４部 回路応用
第５部 ＳＯＩ Ｌｕｂｉｓｔｏｒの光学デバイス応用
第６部 試験、評価手段としてのＳＯＩ Ｌｕｂｉｓｔｏｒ
第７部 ＳＯＩ Ｌｕｂｉｓｔｏｒの将来にわたる発展の見通し
第８部 半導体デバイス解析のためのデバイス物理学及び数学のまとめ
商品詳細
- 出版社名
- 関西大学出版部
- フォーマット
- 単行本
- 原題
- 原タイトル：ＳＯＩ ｌｕｂｉｓｔｏｒｓ
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