パワーエレクトロニクスの新展開　普及版

目次

第１章　ＳｉＣ（ＳｉＣ―可能性とその特徴
ＳｉＣ単結晶基板の高品質化技術　ほか）
第２章　ＧａＮ（ＧａＮ―可能性とその特徴
窒化物半導体の特性と評価　ほか）
第３章　ダイヤモンド半導体（材料
デバイス）
第４章　応用編（次世代モーダルシフト
情報通信システム用電源）

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