半導体の高次元化技術 貫通電極による３Ｄ／２．５Ｄ／２．１Ｄ実装
発売日：2015年4月
- ISBN
- 978-4-501-33090-3
- 著者情報
- 傳田 精一（デンダ セイイチ）
工学博士。信州大学工学部卒業。通産省電気試験所主任研究官、サンケン電気常務取締役、コニカ常務取締役、エレクトロニクス実装学会名誉顧問、長野県工科短大客員教授、長野実装フォーラム名誉理事
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商品説明
半導体を高次元化する技術の概要・特徴が理解でき、今後の技術動向と業界の展望について分かりやすく解説。半導体の３Ｄ、２．５Ｄ、２．１Ｄの加工方法、製作コスト、技術的課題をわかりやすくまとめたため、今後の研究開発・技術開発の指針となる。新しい技術であるワイドＩＯ、ガラスインターポーザに関しても多くの情報を取り上げた。半導体を高次元化する技術の概要・特徴が理解でき、今後の技術動向と業界の展望について分かりやすく解説。
目次
第１章 ＴＳＶ技術の開発
第２章 ＴＳＶの作成プロセス
第３章 ＴＳＶチップの３Ｄ積層技術
第４章 ＴＳＶを使ったワイドＩＯメモリシステム
第５章 ２．５Ｄ ＴＳＶチップ積層構造
第６章 ＴＳＶ‐３Ｄメモリシステムの開発
第７章 新インターポーザと２．１Ｄデバイス
第８章 ３Ｄ用マイクロバンプ、チップフィル、実装材料
第９章 ＴＳＶ関連の技術開発
商品詳細
- 出版社名
- 東京電機大学出版局
- 対象年齢
- 一般
- フォーマット
- 単行本
注意事項
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