ワイドギャップ半導体パワーデバイス

基礎編，結晶編，デバイス編の三つの構成により，ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優れた性能と課題を詳細に述べた。特に結晶製造の難しさは丁寧に解説し，結晶構造の違いや結晶欠陥の形成原理とその評価法に関しても述べた。

目次

基礎編（電力変換とパワーデバイス
次世代パワーデバイスへの要求
パワーチップの構造と製造方法　ほか）
結晶編（原子構造と結晶構造
半導体結晶と物性
半導体中の結晶欠陥　ほか）
デバイス編（ＳｉＣパワーデバイス
ＧａＮパワーデバイス
そのほかのワイドギャップ半導体パワーデバイス　ほか）

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