ＳｉＣ／ＧａＮパワー半導体の実装と信頼性評価技術

SiCやGaNなどの次世代パワーデバイスの実用化が進むためには、これらワイドギャップ半導体の信頼性が確立されることが重要で、そのためには、新しい配線技術が必要とされている。本書は、これらの技術および信頼性の評価手法などを解説したもの。

目次

第１章　緒言
第２章　ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの現状と実装
第３章　ＳｉＣ／ＧａＮパワー半導体の開発
第４章　ワイヤボンド技術
第５章　ダイアタッチ技術
第６章　モールド樹脂技術
第７章　基板技術
第８章　冷却技術
第９章　信頼性評価・検査技術

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