電子デバイス工学「第２版」
発売日：2014年1月
- 版数
- 第２版
- ページ数
- １４９ｐ
- ISBN
- 978-4-627-70562-3
- 著者情報
- 古川 静二郎（フルカワ セイジロウ）
故人。１９３４年函館市に生まれる。１９５６年東京工業大学理工学部電気学科卒業。１９６１年東京工業大学助手。１９６３年東京工業大学助教授。１９７３年東京工業大学教授。１９９４年東京工業大学名誉教授
荻田 陽一郎（オギタ ヨウイチロウ）
１９４３年神奈川県に生まれる。１９６６年神奈川大学工学部電気工学科卒業。１９６９年神奈川大学大学院工学研究科修士課程修了。１９７０年東京工業大学工学部助手（工学博士）。１９７７年神奈川工科大学（旧幾徳工業大学）電気工学科講師。１９８０年神奈川工科大学電気電子工学科（旧電気工学科）助教授。１９８６年神奈川工科大学電気電子工学科（旧電気工学科）教授。２００６年神奈川工科大学電気電子情報工学科（旧電気電子工学科）教授
浅野 種正（アサノ タネマサ）
１９５３年茨城県に生まれる。１９７６年茨城大学工学部電子工学科卒業。１９７９年東京工業大学大学院総合理工学研究科修士課程修了。東京工業大学大学院総合理工学研究科助手。１９８５年工学博士。１９８９年九州工業大学情報工学部助教授。１９９４年九州工業大学マイクロ化総合技術センター教授。２００６年九州大学大学院システム情報科学研究院教授
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商品説明
エレクトロニクスの根幹をなす電子デバイスについて，わかりやすく解説した，定評のある教科書の第2版．技術の進展を反映して記述内容を精査するとともに，省エネ・再生可能エネルギー利用において重要な，パワーデバイスの章を新たに設けた．
目次
電子と結晶
エネルギー帯と自由電子
半導体のキャリヤ
キャリヤ密度とフェルミ準位
半導体の電気伝導
ｐｎ接合とダイオード
ダイオードの接合容量
バイポーラトランジスタ
金属‐半導体接触
ＭＥＳＦＥＴ
ＭＩＳＦＥＴ
集積回路
光半導体デバイス
パワーデバイス
商品詳細
- 出版社名
- 森北出版
- サイズ
- ２２ｃｍ
- フォーマット
- 単行本
注意事項
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