ＵＬＳＩデバイス・プロセス技術「新版」
発売日：2013年5月
- 版数
- 新版
- ISBN
- 978-4-88552-274-1
- 著者情報
- 菅野 卓雄（スガノ タクオ）
昭３４東大大学院数物電気了、工博。同年、東大・工・電気・講師（専任）、昭３５同大学・電子・助教授、昭４１同教授、平３工学部長、平４東大名誉教授、東洋大教授、平６東洋大学長、平１２同大学理事長、平１８東洋大名誉教授、この間固体電子工学の研究、教育に従事。平７紫綬褒章、平１８瑞寶重光章、平２３文化功労者、昭４９本会業績賞、平４本会功績賞、ＩＥＥＥ Ｊａｃｋ Ａ．Ｍｏｒｔｏｎ Ａｗａｒｄ、平７ＩＥＥＥ Ｌｉｆｅ Ｆｅｌｌｏｗ、平１３ＮＥＣ Ｃ＆Ｃ賞、平１７応用物理学会業績賞、平１９国立交通大学（台湾）栄誉教授、平２０国立成功大学（台湾）栄誉教授、平２１科学専業奨章（台湾）
伊藤 隆司（イトウ タカシ）
昭４４東工大・理工・電子卒、昭４９同大学院博士了、工博。同年、富士通株式会社入社、（株）富士通研究所半導体研究部長、シリコンテクノロジ研究所長を経て、平１５富士通株式会社技師長兼あきる野テクノロジセンタ長、兼産総研先端ＳｏＣ連携研究体長。平１６東北大大学院工学研究科教授、平２２定年退職。東工大特任教授を経て、広島大客員教授。本会、ＩＥＥＥ、ＪＳＡＰ各フェロー。大河内賞、オーム賞、山崎貞一賞、渡辺賞、手島賞、文科大臣表彰科学技術賞、ＳＳＤＭ Ａｗａｒｄ等を各受賞
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商品説明
高度情報化社会を支えるULSIの更なる高性能化・高機能化の要求はとどまることはない。本書は、シリコン集積回路技術の基礎と更なる発展及びそれを基盤とする新しい電子デバイスの将来展開を体系的に理解する格好の書である。
目次
第１章 序論
第２章 バイポーラトランジスタの動作機構
第３章 ＭＯＳトランジスタの動作機構
第４章 ＵＬＳＩデバイス構造
第５章 微細加工技術
第６章 材料プロセス技術
第７章 信頼性と検査技術
第８章 ＵＬＳＩの新展開
商品詳細
- 出版社名
- 電子情報通信学会
- 対象年齢
- 一般
- フォーマット
- 単行本
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