タウア・ニン最新ＶＬＳＩの基礎「第２版」
- 版数
- 第２版
- ページ数
- ７２１ｐ
- ISBN
- 978-4-621-08581-3
- 著者情報
- 芝原 健太郎（シバハラ ケンタロウ）
広島大学ナノデバイス・システム研究センター。２０１１年４月２１日逝去
宮本 恭幸（ミヤモト ヤスユキ）
東京工業大学大学院理工学研究科
内田 建（ウチダ ケン）
慶應義塾大学理工学部
セブン-イレブン受取り(送料無料)
発送目安
発売日（発売日以降は当日）～2日で発送
宅配（送料¥550税込）
発送目安
発売日（発売日以降は当日）～2日で発送
交通状況・天候の影響や注文が集中した場合等、お届けにお時間をいただく場合がございます。
商品説明
初版より、すべての章が加筆改訂された改訂２版の翻訳書。ＭＯＳＦＥＴのスケール長の理論や高電界輸送モデル、ＳｉＧｅベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、ＣＭＯＳ回路のノイズマージンおよびＲＦ応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、ＳＯＩデバイスについて新たに二つの章が追加された。
目次
序章
デバイス物理の基礎
ＭＯＳＦＥＴデバイス
ＣＭＯＳデバイス設計
ＣＭＯＳ性能因子
バイポーラデバイス
メモリデバイス
ＳＯＩデバイス〔ほか〕
商品詳細
- 出版社名
- 丸善出版
- サイズ
- ２１ｃｍ
- フォーマット
- 単行本
- 原題
- 原タイトル：Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ｏｆ Ｍｏｄｅｒｎ ＶＬＳＩ Ｄｅｖｉｃｅｓ 原著第２版の抄訳
注意事項
- 本の帯に関して
- 帯つきでの出荷はお約束しておりません。
商品ページに、帯のみに付与される特典物等の表記がある場合でも、確実に帯つきでの出荷はお約束しておりません。
また、帯は商品の一部ではなく「広告扱い」のため、帯の有無・破損による交換や返品は承っておりません。 - 版・表紙について
- 版・表紙（カバー）のご指定は承っておりません。ご注文いただくタイミングによっては、お届けする商品の版や表紙が商品ページ上のものとは異なる場合がございます。
また、初版にのみにお付けしている特典（初回特典、初回仕様特典）がある商品は、商品ページに特典の表記がされている場合でも、無くなり次第終了となります。
