抵抗変化メモリの知的材料設計

発売日：2012年9月

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商品説明

本著では、計算機マテリアルデザインによる先端研究事例IIとして、抵抗変化メモリの知的材料設計をとりあげ、絶縁体のバンドギャップの変化や異なる物質の境界（電極／遷移金属酸化物界面）における電子・原子の状態変化が、どのようにデバイスの動作に結び付くのかについて紹介する。（本書はじめにより）

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