半導体デバイス工学

大村泰久/編著

発売日:2012年9月

  • 半導体デバイス工学
  • 半導体デバイス工学
ISBN
978-4-274-21255-0
著者情報
大村 泰久(オオムラ ヤスヒサ)
1975年九州大学大学院工学研究科応用物理学専攻修士課程修了。1984年工学博士・九州大学。現在、関西大学大学院理工学研究科システムデザイン専攻教授

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商品説明

大学学部向け教科書。半導体の基本的な構造、pn接合やバイポーラトランジスタ・MOSFETの構造・原理・特性などを解説。

目次

半導体結晶とエネルギー帯構造
半導体のキャリヤと電気伝導
pn接合の電流‐電圧特性と接合容量
金属と半導体の接合
バイポーラトランジスタの動作原理
金属‐絶縁体‐半導体(MIS)構造
MOSFETの動作原理
MOSFETの微細化の歴史と集積回路の発展
化合物半導体デバイス
薄膜トランジスタ
半導体の光学特性
受光デバイス
発光デバイス
電力制御半導体デバイス
これからの半導体デバイス

商品詳細

シリーズ名
OHM大学テキスト
出版社名
オーム社
フォーマット
単行本

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