半導体ＳｉＣ技術と応用「第２版」
発売日：2011年9月
- 版数
- 第２版
- ページ数
- ５３３ｐ
- ISBN
- 978-4-526-06754-9
- 著者情報
- 松波 弘之（マツナミ ヒロユキ）
１９６２年に京都大学工学部卒業、１９６４年京都大学大学院工学研究科修士課程修了。同年、京都大学助手。１９７０年工学博士。１９７１年同学助教授、１９７６‐１９７７年ノースカロライナ州立大学客員准教授、１９８３年京都大学教授、２００３年同学名誉教授。２００３年ＪＳＴイノベーションプラザ京都館長。専門は半導体材料工学
大谷 昇（オオタニ ノボル）
１９８４年に東京工業大学修士課程物理学専攻修了。同年、新日本製鐵（株）入社、技術開発本部に勤務。１９９１‐１９９３年英国インペリアルカレッジロンドン博士課程留学（Ｐｈ．Ｄ．）、２００８年に関西学院大学教授に就任。１９９７年日本金属学会技術開発賞受賞、２００７年日経ＢＰ技術賞受賞。専門はＳｉＣ半導体材料の結晶成長並びに欠陥物理学
木本 恒暢（キモト ツネノブ）
１９８６年京都大学工学部卒業、１９８８年に京都大学大学院工学研究科修士課程修了。同年、住友電気工業（株）伊丹研究社に入社。１９９０年京都大学工学部助手、１９９６‐１９９７年リンチョピン大学物理学科客員研究員。１９９８年京都大学助教授、２００６年京都大学教授。専門は半導体材料、デバイス
中村 孝（ナカムラ タカシ）
１９９０年にローム株式会社入社、ＬＳＩプロセス開発に従事。１９９６年京都大学から博士（工学）の学位を授与。２００３年から、ＳｉＣパワーデバイス開発に従事し、現在に至る
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商品説明
SiC（シリコンカーバイト）を用いたパワーデバイスは世界的に注目され、自動車・産業機器・家電分野へと本格的な応用期を迎えようとしている。省電力・高速・高温動作性などでSi（シリコン）を大きく上回る性能を持つ半導体SiCの基礎から応用までをまとめている。
目次
１ シリコンカーバイド（ＳｉＣ）技術の進展
２ ＳｉＣの特徴
３ ＳｉＣ単結晶の結晶成長技術
４ ＳｉＣ単結晶のウェハ加工技術
５ ＳｉＣエピタキシャル成長技術
６ ＳｉＣの評価技術
７ ＳｉＣのプロセス技術
８ デバイス
９ ＳｉＣを用いたシステム
１０ 各分野におけるＳｉＣへの期待
商品詳細
- 出版社名
- 日刊工業新聞社
- サイズ
- ２１ｃｍ
- フォーマット
- 単行本
注意事項
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