パワー・デバイスＩＧＢＴ活用の基礎と実際　ＭＯＳＦＥＴとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子

ＭＯＳ　ＦＥＴとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイス，ＩＧＢＴの活用方法について詳解します．

目次

第１章　ＩＧＢＴの基礎知識
第２章　ゲート・ドライブ回路の設計
第３章　保護回路の設計と並列接続
第４章　放熱設計方法
第５章　ノイズ低減対策技術
第６章　トラブル発生時の対処方法
第７章　インテリジェント・パワー・モジュールＩＰＭ

本の帯に関して

帯つきでの出荷はお約束しておりません。
商品ページに、帯のみに付与される特典物等の表記がある場合でも、確実に帯つきでの出荷はお約束しておりません。
また、帯は商品の一部ではなく「広告扱い」のため、帯の有無・破損による交換や返品は承っておりません。

版・表紙について

版・表紙（カバー）のご指定は承っておりません。ご注文いただくタイミングによっては、お届けする商品の版や表紙が商品ページ上のものとは異なる場合がございます。
また、初版にのみにお付けしている特典（初回特典、初回仕様特典）がある商品は、商品ページに特典の表記がされている場合でも、無くなり次第終了となります。