半導体デバイスシリーズ　１「集積ナノデバイス」

変革期を迎えるＶＬＳＩ技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第１巻。ナノスケールＶＬＳＩデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。

目次

１　序論（スケーリング則とムーアの法則
集積ナノデバイスの諸問題　ほか）
２　ＭＯＳトランジスタの基礎（ＭＯＳトランジスタの構造と動作
ＭＯＳトランジスタの１次近似モデル　ほか）
３　微細トランジスタの性能向上（極薄膜Ｓｉや３次元構造Ｓｉによる新構造トランジスタ
移動度向上技術（ひずみＳｉ、新チャネル材料））
４　微細化・集積化にともなう諸問題（スケーリングによる微細化とその課題
微細ＭＯＳＦＥＴの信頼性　ほか）
５　将来展望（将来に向けての技術動向
集積ナノデバイスマップ　ほか）

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