ＳｉＣ半導体の基礎と応用

現代社会において、電力エネルギーの消費は増大の一途をたどっている。省エネと両立した社会の持続的発展のためには、その効率的な変換／制御技術（パワーエレクトロニクス）が今後ますます重要となる。ワイドギャップ半導体で ある炭化珪素（SiC）のエレクトロニクスへの活用は、そのための基幹技術の一つとして注目されていたが、最近いくつかの技術的ブレークスルーを通してにわかに現実味を帯びてきた。本書では、SiC半導体の結晶成長から、デバイス作製、システム応用までの一貫した技術展開を念頭に置き、基礎から応用までの技術トレンドを概説する。

目次

第1章　SiC半導体とパワーエレクトロニクス
　1.1　ムーアの法則とスケーリング則
　1.2　スケーリング則の破綻と電力爆発の危機
　1.3　ITRSロードマップ

　第2章　SiCの基礎的性質
　2.1　結晶構造とバンド構造
　2.2　SiCのワイドギャップ半導体としての諸物性

　第3章　SiCバルク単結晶技術
　3.1　SiC結晶作製技術の基礎
　3.2　SiCバルク単結晶作製の基礎
　3.3　バルク単結晶技術の最前線
　3.4　課題

　第4章　SiCホモエピタキシャル成長技術
　4.1　SiCホモエピタキシャル成長技術の基礎
　4.2　エピタキシャル成長技術の最前線
　4.3　課題

　第5章　SiCプロセス/素子技術とその応用
　5.1　SiC素子のプロセス技術
　5.2　SiC素子技術
　5.3　SiC素子の応用

　おわりに

　参考文献

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