半導体デバイスの基礎
発売日：2009年2月
- ISBN
- 978-4-254-22155-8
- 著者情報
- 浜口 智尋（ハマグチ チヒロ）
１９３７年三重県に生まれる。１９６６年大阪大学大学院工学研究科博士課程修了。１９６７年大阪大学工学部電子工学科助教授。１９６７年パデュー大学物理学科客員研究員。１９８５年大阪大学工学部電子工学科教授。現在、大阪大学名誉教授。シャープ株式会社顧問。米国物理学会、英国物理学会、ＩＥＥＥおよび応用物理学会フェロー。工学博士。専攻は半導体物性、半導体デバイス物理
谷口 研二（タニグチ ケンジ）
１９４８年愛媛県に生まれる。１９７３年大阪大学大学院工学研究科博士課程修了。１９７５年東京芝浦電気株式会社（現・東芝）研究員。１９８１年マサチューセッツ工科大学客員研究員。１９８６年大阪大学工学部電子工学科助教授。１９９６年大阪大学大学院工学研究科教授。現在、大阪大学大学院工学研究科教授。ＩＥＥＥおよび応用物理学会フェロー。工学博士。専攻はアナログ回路設計、半導体デバイス物理
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商品説明
集積回路の微細化、次世代メモリ素子など、半導体の状況変化に対応させた好評のテキスト。
目次
第１章 半導体の物理
第２章 電気伝導
第３章 ｐｎ接合型デバイス
第４章 界面の物理と電界効果トランジスタ
第５章 光電効果デバイス
第６章 量子井戸デバイス
第７章 その他のデバイス
商品詳細
- 出版社名
- 朝倉書店
- フォーマット
- 単行本
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