半導体メモリ
発売日：2008年7月
- ISBN
- 978-4-339-00798-5
- 著者情報
- 角南 英夫（スナミ ヒデオ）
１９６７年東北大学工学部電子工学科卒業。１９６９年東北大学大学院工学研究科修士課程修了（電子工学専攻）。１９６９年株式会社日立製作所中央研究所入所。１９７３〜７４年米国スタンフォード大学電子工学研究所研究助手。１９８０年工学博士（東北大学）。１９９４〜９６年Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＵＳ）Ｉｎｃ．出向、Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．勤務。１９９８年広島大学ナノデバイス・システム研究センター教授。２００２年次世代半導体材料技術研究組合技術顧問兼務。２００７年広島大学名誉教授。２００７年広島大学半導体・バイオ融合集積化技術の構築プロジェクト特認教授。１９８５年米国ＩＥＥＥ電子デバイス分科会年間最優秀論文賞（１９８４ Ｐａｕｌ Ｒａｐｐａｐｏｒｔ Ａｗａｒｄ）。１９９１年米国ＩＥＥＥフィールド賞（１９９１ Ｃｌｅｄｏ Ｂｒｕｎｅｔｔｉ Ａｗａｒｄ）。１９９１年関東地方発明奨励賞「溝形キャパシタＤＲＡＭセル」。１９９５年関東地方発明知事賞「ダブルバランスＣＭＯＳセンスアンプ回路」。１９９８年米国ＩＥＥＥ Ｆｅｌｌｏｗ。１９９８年東京都発明研究功労者表彰。２００３年電子情報通信学会フェロー。２００６年米国ＩＥＥＥ Ｊｕｎ‐ｉｃｈｉ Ｎｉｓｈｉｚａｗａ Ｍｅｄａｌ。２００７年応用物理学会フェロー
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商品説明
ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリを中心に構造・特徴・用途について、また半導体メモリの製造技術や開発中のメモリについて解説。
目次
１ 半導体メモリの位置づけ
２ 半導体メモリの種類と機能およびその用途
３ 大量生産されている汎用メモリ
４ 少量生産あるいは開発中のメモリ
５ 半導体メモリの性能比較と将来の課題
６ 半導体メモリ製造の基礎技術
７ 補遺
商品詳細
- 出版社名
- コロナ社
- 対象年齢
- 一般
- フォーマット
- 単行本
注意事項
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