ＭＯＳ集積回路の設計・製造と信頼性技術
大山英典／共著 中林正和／共著 葉山清輝／共著 江口啓／共著
発売日：2008年4月
- ページ数
- １８９ｐ
- ISBN
- 978-4-627-77381-3
- 著者情報
- 大山 英典（オオヤマ ヒデノリ）
１９８２年豊橋技術科学大学修士課程修了。１９９１年熊本電波高専助教授、工学博士。１９９２年文部科学省（旧文部省）長期在外研究員（ＩＭＥＣ、ベルギー）。１９９３年ＩＭＥＣ客員研究員。２０００年熊本電波高専教授。専門分野は半導体デバイスの放射線損傷機構
中林 正和（ナカバヤシ マサカズ）
１９８０年大阪府立大学修士課程修了。１９８０年三菱電機（株）入社。２００２年熊本大学大学院自然科学研究科博士課程修了、博士（工学）。２００３年（株）ルネサステクノロジ。専門分野は半導体の信頼性、パワーデバイスのライフタイム制御
葉山 清輝（ハヤマ キヨテル）
１９９１年豊橋技術科学大学修士課程修了。１９９２年豊橋技術科学大学技術開発センター助手。１９９７年博士（工学）。２０００年熊本電波高専助教授。２００３年文部科学省長期在外研究員（ＩＭＥＣ、ベルギー）。２００７年熊本電波高専准教授。専門分野は半導体デバイスの放射線損傷機構
江口 啓（エグチ ケイ）
１９９９年熊本大学大学院自然科学研究科博士課程修了、博士（工学）。１９９９年熊本電波高専講師。２００１年熊本電波高専助教授。２００６年静岡大学助教授。２００７年静岡大学准教授。専門分野は回路システム
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商品説明
設計、製造、信頼性ＭＯＳに必要な三つの技術を詳しく解説。ＦＤＭを活用する半導体に係わる全ての人に！第一線技術者の声も多く取り入れた、実用的な一冊。
目次
第１章 集積回路の現状と課題（半導体市場と技術動向
設計と信頼性技術の現状 ほか）
第２章 集積回路の基礎（半導体の種類
Ｓｉ半導体 ほか）
第３章 ＭＯＳ集積回路の構成と設計技術（ディジタル回路
アナログ回路 ほか）
第４章 ＭＯＳ集積回路の製造技術（製造環境
洗浄技術 ほか）
第５章 ＭＯＳ集積回路の信頼性技術（半導体デバイスの信頼性
半導体デバイスの信頼性評価 ほか）
商品詳細
- 出版社名
- 森北出版
- サイズ
- ２２ｃｍ
- 対象年齢
- 一般
- フォーマット
- 単行本
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