ウェットサイエンスが拓くプロダクトイノベ

目次

Ｉ．序論編
序の章
１．半導体技術の進展
２．半導体表面の電子化学
２．１　水素原子模型と分子結合
２．２　Ｓｉ表面吸着分子の挙動：ＳｉＨ４系分子を例として
２．３　電気陰性度とエネルギ準位〜終端原子による表面電子状態の変化
２．３．１　Ｓｉ表面の室温酸化工程
２．３．２　（ＳｉＨ４＋ＷＦ６）によるタングステン選択成膜
２．３．３　水溶液中からのＳｉ表面へのＣｕ付着
２．４　酸化還元電位とエネルギ準位　－Ｓｉ表面の自然酸化膜形成と水溶液による金
属汚染洗浄－
２．５　粒子除去
２．６　コンタクトホール底部

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