低消費電力・高速ＭＯＳＦＥＴ技術－多結晶

シリコン（ケイ素，Silicon、 Si ）は地球上に酸素についで２番目に多く存在する元素
である。重量パーセントにして地殻の２５．８％がシリコンからなる。例えば，　花崗
岩などに含まれる最もポピュラーな鉱物の石英は酸化シリコン（SiO2）である。このシ
リコンを使って半導体デバイスが作られ，それがあらゆる産業を支えている。また，コ
ンピュータや携帯電話などあらゆる電化製品の心臓部が，どこにでもある「石」から作
られていると考えると，半導体産業は究極の付加価値を生み出す魔法の産業とも言える
し，神秘的な感

目次

◆第１章　なぜ低消費電力デバイスか？
１．１　スケーリング則と絶縁膜上のＭＯＳＦＥＴ
１．２　多結晶シリコンＴＦＴ負荷型ＳＲＡＭ
１．３　多結晶シリコンＴＦＴの構造とデバイス物理
１．４　ＳＯＩデバイスの特徴
１．５　ＳＯＩデバイスのフローティングボディ効果
１．６　まとめ

◆第２章　多結晶シリコンＴＦＴにおけるＢＴストレス信頼性
２．１　ＢＴストレスはなぜ重要か？
２．２　ＢＴストレス劣化モデル
２．３　単結晶シリコンの場合のＢＴストレス劣化
２．４　多結晶シリコンの場合のＢＴストレス劣化
２．５　Ｔ

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