パワーＭＯＳ ＦＥＴ活用の基礎と実際 実験で学ぶ高速パワー・スイッチングのノウハウ
発売日：2004年11月
- ISBN
- 978-4-7898-3038-6
- 著者情報
- 稲葉 保（イナバ タモツ）
１９４８年千葉県に生まれる。１９６８年国立仙台電波高等学校専攻科卒業。第１級無線通信士資格取得。１９７１年原電子測器（株）入社。１９７４年同社退社。１９７６年（株）日本サーキット・デザイン設立、現在同社代表取締役
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商品説明
本書では、実践的なパワーＭＯＳ ＦＥＴの活用ノウハウを、実験と実用回路の試作によって余すところなく紹介する。
目次
パワーＭＯＳ ＦＥＴのあらまし
活用の決め手はゲート特性を理解すること
パワーＭＯＳドライブ回路設計の基礎
パワーＭＯＳの絶縁ゲート・ドライブ技術
パワーＭＯＳの安全対策…過電圧／過電流保護回路
Ｐチャンネル・パワーＭＯＳの応用技術
電子式ステップ・ダウン・トランスの設計
１２Ｖ・２．５Ａスイッチング電源の設計
力率補正付き０〜１００Ｖ・２Ａ電源の設計
ＰＷＭ方式Ｄ級アンプの設計
３８ｋＨｚ‐１００Ｗ超音波発振機の設計
高周波誘導加熱装置の設計
商品詳細
- シリーズ名
- Ｐｏｗｅｒ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
- 出版社名
- ＣＱ出版
- 対象年齢
- 一般
- フォーマット
- 単行本
注意事項
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