半導体デバイス 基礎理論とプロセス技術「第２版」
Ｓ．Ｍ．ジィー／著 南日康夫／訳 川辺光央／訳 長谷川文夫／訳
発売日：2004年3月
- 版数
- 第２版
- ページ数
- ４９９ｐ
- ISBN
- 978-4-7828-5550-8
- 著者情報
- ジィー，Ｓ．Ｍ．（ジィー，Ｓ．Ｍ．）（Ｓｚｅ，Ｓ．Ｍ．）
現在、台湾Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｈｉａｏ Ｔｕｎｇ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙのＵＭＣ Ｃｈａｉｒ ＰｒｏｆｅｓｓｏｒでありＮａｔｉｏｎａｌ Ｎａｎｏ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓの所長を務めている。長年にわたって、米国ベル研究所の研究員であった。Ｓｚｅ教授は、不揮発性半導体メモリの共同発明者でもある。また、多くの半導体教科書の執筆者としても良く知られており、中でもＰＨＹＳＩＣＳ ＯＦ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＤＥＶＩＣＥＳは古典的な参考書とされている。１９９１年に半導体デバイスにおける基礎的、パイオニア的貢献によりＩＥＥＥ Ｊ．Ｊ．Ｅｂｅｒｓ賞を受賞している。ＰｈＤは、固体電子工学に関して１９６３年スタンフォード大学より受けている
南日 康夫（ナンニチ ヤスオ）
１９５６年東京大学工学部応用物理学科卒業。１９６０年スタンフォード大学研究員。１９６６年工学博士。１９７９年筑波大学物質工学系教授。１９９７年筑波大学名誉教授。現在、財団法人富山県新世紀産業機構（科学技術コーディネータ）
川辺 光央（カワベ ミツオ）
１９６１年大阪大学工学部電気工学科卒業。１９６７年大阪大学基礎工学部助手。１９６９年工学博士。１９７５年グラスゴー大学研究員。１９７８年筑波大学物質工学系助教授。１９８４年筑波大学物質工学系教授。２００２年筑波大学名誉教授。現在、独立行政法人物質・材料研究機構（特別研究員）
長谷川 文夫（ハセガワ フミオ）
１９６３年東北大学工学部電子工学科卒業。１９６５年日本電気株式会社中央研究所入社。１９７３年工学博士。シェフイールド大学研究員。１９８１年筑波大学物質工学系助教授。１９８８年筑波大学物質工学系教授。現在、筑波大学物理工学系教授
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商品説明
本書は、最近の半導体デバイス物理と作製技術のほとんどを網羅した入門書である。デバイス形成の各段階において、評価と作製技術の理論と実際が集積回路に重点をおきつつ述べられている。
目次
第１部 半導体物理（エネルギーバンドと熱平衡状態におけるキャリア密度
キャリアの輸送現象）
第２部 半導体デバイス（ｐ‐ｎ接合
バイポーラ・トランジスタとその関連デバイス
ＭＯＳＦＥＴと関連デバイス ほか）
第３部 半導体技術（結晶成長とエピタキシィ
薄膜の形成
リソグラフィとエッチング ほか）
商品詳細
- 出版社名
- 産業図書
- サイズ
- ２７ｃｍ
- フォーマット
- 単行本
- 原題
- 原書名：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｄｅｖｉｃｅｓ 原著第２版の翻訳
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