半導体デバイスの基礎
発売日:2003年11月
- ISBN
- 978-4-563-03685-0
- 著者情報
- 松本 智(マツモト サトル)
1971年慶応義塾大学工学部電気工学科卒業。1976年慶応義塾大学大学院工学研究科電気工学専攻博士課程修了。工学博士。慶応義塾大学工学部電気工学科助手。現在、慶応義塾大学理工学部電子工学科教授
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商品説明
本書は、初学者から、大学院生、専門技術者へスムーズに橋渡しのできることを目指した斬新なテキストである。はじめは、エネルギーバンド図を用いずに、空間電荷分布モデルで基本的特性の説明を行い、初学者がそれらのデバイスの全体像を把握できてから、エネルギーバンドを用いたpn接合、MOSキャパシタ・トランジスタの詳細な説明を行うなど、高度なレベルにも対応できるように工夫している。特徴は、(1)MOSデバイスの記述に重点をおいたこと、(2)出来るだけ具体的数値を用いて説明していること、(3)例題と問題を充実させ学習の便をはかったこと、などである。
目次
1 情報化社会を支える半導体デバイス
2 デバイスを理解するための半導体物理の基礎
3 pn接合ダイオード
4 金属・半導体接触
5 MOSキャパシタ
6 MOSFET
7 MOS論理ゲート
9 バイポーラ・トランジスタ
9 化合物半導体高速トランジスタ
10 光デバイス
商品詳細
- シリーズ名
- 電気・電子・情報工学系テキストシリーズ 5
- 出版社名
- 培風館
- フォーマット
- 単行本
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