半導体デバイス理論 基礎から最新のシミュレーションまで
発売日：2002年8月
- ISBN
- 978-4-621-07078-9
- 著者情報
- ヘス，カール（ヘス，カール）（Ｈｅｓｓ，Ｋａｒｌ）
イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校のＳｗａｎｌｕｎｄ寄付講座教授で、電気工学、計算機工学および物理学の教授。研究の大部分は、半導体および半導体デバイスにおける電子的輸送、とりわけホットエレクトロンの効果やデバイスの小型化に関連した効果に重点をおいている。イリノイ大学のベックマン研究所での現在の研究分野は分子的および電子的なナノ構造である。１９９３年にＩＥＥＥ電子デバイス協会よりＩＥＥＥ Ｊ．Ｊ．Ｅｂｅｒｓ賞、１９９５年に電子工学への貢献によりＩＥＥＥ Ｄａｖｉｄ Ｓａｒｎｏｆｆ賞を受賞したのをはじめとして多くの賞を受け、アメリカ芸術科学アカデミーのフェローでもある
松田 和典（マツダ カズノリ）
１９８２年筑波大学大学院修士課程理工学研究科修了。同年東芝ＮＡＩＧ総合研究所研究員、２００１‐２００２年イリノイ大学客員助教授。現在鳴門教育大学助教授、工学博士
石橋 晃（イシバシ アキラ）
１９８３年東京大学理学系大学院物理学修士課程修了。同年ソニー株式会社中央研究所員。１９９８年東北大学学際科学研究センタ客員教授。現在、ソニー株式会社マテリアル研究所シニアリサーチャー、理学博士
関 俊司（セキ シュンジ）
１９８１年早稲田大学大学院理工学研究科修士課程修了。同年日本電信電話公社（現日本電信電話株式会社）入社。１９９１‐１９９２年イリノイ大学客員研究員。現在日本電信電話株式会社第三部門担当部長、工学博士
谷村 吉隆（タニムラ ヨシタカ）
１９８９年慶応義塾大学理工学研究科博士課程修了。同年イリノイ大学ベックマン研究所博士研究員、１９９２年ロチェスター大学博士研究員。１９９４年より岡崎国立共同研究機構分子科学研究所理論研究系助教授、理学博士
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商品説明
基礎量子物理学からコンピュータ支援の設計に至るまで、半導体デバイス理論についての基礎をわかりやすく解説。
半導体デバイスの原理について理解を深めたい固体電子工学の技術者、大学院生、研究者の詳しい手引書である。
●基礎方程式、その有効性、現在のシミュレーションツールにその方程式を含める場合の数値解法について徹底的に議論を行い、デバイスのコンピュータシミュレーションについての理解を深められる。
●III-V化合物とシリコンテクノロジーの両方に使われているデバイスの最先端について知ることができる。
●特にp-n接合ダイオードにおける電子的な輸送について優れた手引きと説明がなされている。
●量子井戸レーザダイオードやシリコンテクノロジーにおけるホットエレクトロン効果についての革新的な扱いについても配慮。
目次
基礎方程式の簡単な復習
結晶格子の対称性
結晶のエネルギーバンド理論
理想的な結晶構造の不完全性
電子と正孔に対する平衡状態の統計
自己無撞着ポテンシャルと半導体の誘電的性質
散乱理論
ボルツマン輸送方程式
生成‐再結合
ヘテロ接合障壁
ショックレーとストラットンのデバイス方程式
数値デバイスシミュレーション
ダイオード
レーザダイオード
トランジスタ
未来の半導体デバイス
商品詳細
- 出版社名
- 丸善
- フォーマット
- 単行本
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