コンピュータによるシリコンテクノロジー 2

山本良一/編

発売日:1990年5月

  • コンピュータによるシリコンテクノロジー 2
  • コンピュータによるシリコンテクノロジー 2
ISBN
978-4-303-71400-0

¥4,485 .80 税込

20 nanacoポイント

20 セブンマイル

セブン-イレブン受取り(送料無料)

発送目安

発売日(発売日以降は当日)~2日で発送

宅配(送料¥550税込)

発送目安

発売日(発売日以降は当日)~2日で発送

交通状況・天候の影響や注文が集中した場合等、お届けにお時間をいただく場合がございます。

商品説明

目次

1 点欠陥・不純物の拡散と電子構造
2 シリコンの点欠陥と拡散―実験
3 深い不純物準位の電子構造の計算と物質設計
4 シリコン中の酸素析出プロセス
5 FZおよびCZシリコン結晶中の点欠陥の挙動
6 シリコン中の結晶粒界の原子構造と電子構造
7 太陽電池のシミュレーション
8 シリコン・シリサイド界面―理論
9 SiO〓2/Si界面状態と素子特性
10 シリコンデバイスのシミュレーション

商品詳細

出版社名
海文堂出版
対象年齢
専門家
フォーマット
単行本

注意事項

本の帯に関して
帯つきでの出荷はお約束しておりません。
商品ページに、帯のみに付与される特典物等の表記がある場合でも、確実に帯つきでの出荷はお約束しておりません。
また、帯は商品の一部ではなく「広告扱い」のため、帯の有無・破損による交換や返品は承っておりません。
版・表紙について
版・表紙(カバー)のご指定は承っておりません。ご注文いただくタイミングによっては、お届けする商品の版や表紙が商品ページ上のものとは異なる場合がございます。
また、初版にのみにお付けしている特典(初回特典、初回仕様特典)がある商品は、商品ページに特典の表記がされている場合でも、無くなり次第終了となります。

あなたへのおすすめ