ご使用のブラウザでは、Cookieの設定が無効になっています。
すべての機能を利用するには、ブラウザの設定から当サイトドメインのCookieを有効にしてください。

  • SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術

  • SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術

SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術

  • 菅沼克昭/編著 菅沼 克昭
    1977年東北大学工学部卒業、1979年東北大学工学系大学院原子核工学専攻修士修了、1982年同博士課程修了、同年、大阪大学産業科学研究所助手、1986年防衛大助教授、1996年阪大産研教授。専門は実装工学、材料工学

  • ISBN
    978-4-526-07339-7
  • 発売日
    2014年12月

閉じる

例)1234567

[住所の変更]

宅配受取り
店舗受取り(送料無料
セブン-イレブン
その他の店舗

閉じる

[対象店舗]
お急ぎ店舗受取り(324円

数量:

3,600 (税込:3,960

在庫あり

シェアする
Facebook
Twitter
メール

閉じる

ログイン後、改めてメールの送信をお願いします。 ログイン

商品の説明

  • SiCやGaNなどの次世代パワーデバイスの実用化が進むためには、これらワイドギャップ半導体の信頼性が確立されることが重要で、そのためには、新しい配線技術が必要とされている。本書は、これらの技術および信頼性の評価手法などを解説したもの。
目次
第1章 緒言
第2章 ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの現状と実装
第3章 SiC/GaNパワー半導体の開発
第4章 ワイヤボンド技術
第5章 ダイアタッチ技術
第6章 モールド樹脂技術
第7章 基板技術
第8章 冷却技術
第9章 信頼性評価・検査技術

商品詳細情報

フォーマット 単行本
サイズ 21cm

ページの先頭へ

閉じる

  • SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術
  • SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術

閉じる

エラーが発生しました。

読み込み中