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  • 半導体SiC技術と応用 第2版

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半導体SiC技術と応用 第2版

  • 松波弘之/編著 大谷昇/編著 木本恒暢/編著 中村孝/編著 松波 弘之
    1962年に京都大学工学部卒業、1964年京都大学大学院工学研究科修士課程修了。同年、京都大学助手。1970年工学博士。1971年同学助教授、1976‐1977年ノースカロライナ州立大学客員准教授、1983年京都大学教授、2003年同学名誉教授。2003年JSTイノベーションプラザ京都館長。専門は半導体材料工学

    大谷 昇
    1984年に東京工業大学修士課程物理学専攻修了。同年、新日本製鐵(株)入社、技術開発本部に勤務。1991‐1993年英国インペリアルカレッジロンドン博士課程留学(Ph.D.)、2008年に関西学院大学教授に就任。1997年日本金属学会技術開発賞受賞、2007年日経BP技術賞受賞。専門はSiC半導体材料の結晶成長並びに欠陥物理学

    木本 恒暢
    1986年京都大学工学部卒業、1988年に京都大学大学院工学研究科修士課程修了。同年、住友電気工業(株)伊丹研究社に入社。1990年京都大学工学部助手、1996‐1997年リンチョピン大学物理学科客員研究員。1998年京都大学助教授、2006年京都大学教授。専門は半導体材料、デバイス

    中村 孝
    1990年にローム株式会社入社、LSIプロセス開発に従事。1996年京都大学から博士(工学)の学位を授与。2003年から、SiCパワーデバイス開発に従事し、現在に至る

  • ISBN
    978-4-526-06754-9
  • 発売日
    2011年09月

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商品の説明

  • SiC(シリコンカーバイト)を用いたパワーデバイスは世界的に注目され、自動車・産業機器・家電分野へと本格的な応用期を迎えようとしている。省電力・高速・高温動作性などでSi(シリコン)を大きく上回る性能を持つ半導体SiCの基礎から応用までをまとめている。
目次
1 シリコンカーバイド(SiC)技術の進展
2 SiCの特徴
3 SiC単結晶の結晶成長技術
4 SiC単結晶のウェハ加工技術
5 SiCエピタキシャル成長技術
6 SiCの評価技術
7 SiCのプロセス技術
8 デバイス
9 SiCを用いたシステム
10 各分野におけるSiCへの期待

商品詳細情報

フォーマット 単行本
サイズ 21cm
版数 第2版

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