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  • シリコン半導体 その物性とデバイスの基礎

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シリコン半導体 その物性とデバイスの基礎

  • 白木靖寛/著 白木 靖寛
    1942年福岡県生まれ。1965年東京大学工学部物理工学科卒業。1967年東京大学大学院工学系研究科応用物理修士課程修了。三井石油化学工業(株)総合研究所入社。1969年(株)日立製作所中央研究所入社。1987年東京大学先端科学技術研究センター助教授。1991年東京大学大学院工学系研究科教授。2004年武蔵工業大学(現東京都市大学)教授・総合研究所所長。2013年退職。東京大学・東京都市大学名誉教授。工学博士。応用物理学会名誉会員・元会長

  • シリーズ名
    物質・材料テキストシリーズ
  • ページ数
    249p
  • ISBN
    978-4-7536-2303-7
  • 発売日
    2015年10月

3,900 (税込:4,212

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商品の説明

目次
シリコン原子
固体シリコン
シリコンの結晶構造
半導体のエネルギー帯構造
状態密度とキャリア分布
電気伝導
シリコン結晶作製とドーピング
pn接合とショットキー接合
ヘテロ構造
MOS構造
MOSトランジスタ(MOSFECT)
バイポーラトランジスタ
集積回路(LSI)
シリコンパワーデバイス
シリコンフォトニクス
シリコン薄膜デバイス

商品詳細情報

フォーマット 単行本
サイズ 21cm
対象年齢 一般

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