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  • ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学 FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発

  • ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学 FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発

ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学 FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発

  • 水谷宇一郎/共著 佐藤洋一/共著 水谷 宇一郎
    1942年名古屋に生まれる。1964年名古屋大学工学部応用物理学科卒業。1971年名古屋大学工学博士。1972年Carnegie‐Mellon大学(U.S.A.)post doctoral fellow。1989年名古屋大学工学部教授。2005年公益財団法人豊田理化学研究所フェロー。2009年公益財団法人名古屋産業科学研究所上席研究員。名古屋大学名誉教授。William Hume‐Rothery Award(2005)

    佐藤 洋一
    1946年宮城県に生まれる。1968年東北大学理学部物理学科卒業。1973年東北大学理学博士。1974年愛知教育大学助手。1989年愛知教育大学教授。2011年?2014年愛知教育大学特別研究員。愛知教育大学名誉教授

  • ページ数
    231p
  • ISBN
    978-4-7536-2101-9
  • 発売日
    2015年10月

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商品の説明

目次
第1章 ヒューム・ロザリー電子濃度則とは
第2章 WIEN2kを用いたFLAPW‐Fourier解析法
第3章 周期律表元素の電子構造とe/aの決定
第4章 結合形態による金属間化合物の分類
第5章 Al‐およびZn‐基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
第6章 ジントル化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
第7章 P‐基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
第8章 ヒューム・ロザリー電子濃度則と干渉条件
第9章 ヒューム・ロザリー電子濃度則の材料開発への応用

商品詳細情報

フォーマット 単行本
サイズ 21cm

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